Статья:

Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота

Аннотация

Представлены результаты отработки технологии эпитаксиального роста GaN на подложках из монокристаллического лангасита La3Ga5SiO14 (0001) методом МПЭ ПА. Выполнены исследования влияния температуры осаждаемого на начальном этапе низкотемпературного слоя GaN на кристаллическое качество и морфологию всего слоя нитрида галлия. Продемонстрировано, что оптимальная температура осаждения начального (зародышевого) слоя GaN при его росте на подложках из лангасита составляет ∼ 520°C. Понижение температуры роста до этого значения позволяет подавить диффузию кислорода из лангасита в растущий слой и уменьшить плотность прорастающих дислокаций в основном слое GaN при его последующем более высокотемпературном осаждении (∼ 700°C). Дальнейшее понижение температуры роста зародышевого слоя приводит к резкой деградации кристаллического качества GaN/LGS слоев. В результате проведенных исследований были получены эпитаксиальные слои GaN/LGS с плотностью прорастающих дислокаций ∼ 1011 см−2 и низкой (< 2 нм) шероховатостью поверхности.

Заключение

В работе представлены результаты исследований влияния температуры, осаждаемого на начальном этапе зародышевого, тонкого слоя GaN на кристаллическое качество и морфологию эпитаксиального слоя GaN, выращенного методом МПЭ ПА на подложках из монокристаллического лангасита La3Ga5SiO14 (0001). Выявлено, что оптимальная температура осаждения зародышевого слоя GaN при его росте на подложках из лангасита составляет ∼ 520°C, которая позволяет, с одной стороны, подавить диффузию кислорода из лангасита в растущий слой, а с другой — приводит к снижению плотности прорастающих дислокаций в основном слое GaN при его последующем более высокотемпературном (∼ 700°C) осаждении. В результате на подложках из лангасита были получены эпитаксиальные слои GaN с плотностью прорастающих дислокаций ∼ 1011 см−2 и низкой (< 2 нм) шероховатостью поверхности.

Полный текст публикации находится здесь!

© 2016 г. Д.Н. Лобанов∗+, А.В. Новиков∗+, П.А. Юнин,

Е.В. Скороходов, М.В. Шалеев, М.Н. Дроздов,

О.И. Хрыкин, О.А. Бузанов, В.В. АленковП.И. Фоломин², А.Б. Гриценко²

Институт физики микроструктур Российской академии наук, +Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, ОАО «Фомос-Материалс», ²Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"

Заполните заявку
наш специалист произведёт все нужные расчёты и свяжется с вами
Нажимая на кнопку "Отправить", я даю
согласие на обработку персональных данных