+7 (495) 964-22-66
mail@newpiezo.com
EN
RU
EN
RU
Спросите специалиста
О компании
Вакансии
Контакты
История
Продукция
Пьезоэлектрические элементы
ПАВ подложки
ОАВ элементы
Сцинтилляционные элементы
Оксид галлия (Ga
2
O
3
)
Магнитооптические элементы
Применение
Датчики на прямом пьезоэффекте
Физика элементарных частиц
Акустоэлектроника
Ядерная медицина
Детекторы ионизирующего излучения
Производство
Публикации
База знаний
EN
RU
Спросите специалиста
Нажимая на кнопку "Отправить", я даю
согласие
на обработку персональных данных
Свернуть
Нажимая на кнопку "Отправить", я даю
согласие
на обработку персональных данных
Свернуть
+7 (495) 964-22-66
mail@newpiezo.com
О компании
Вакансии
Контакты
История
Продукция
Пьезоэлектрические элементы
ПАВ подложки
ОАВ элементы
Сцинтилляционные элементы
Оксид галлия (Ga
2
O
3
)
Магнитооптические элементы
Применение
Датчики на прямом пьезоэффекте
Физика элементарных частиц
Акустоэлектроника
Ядерная медицина
Детекторы ионизирующего излучения
Производство
Публикации
База знаний
Раздел:
Статьи 2012-го года
Главная
/
Публикации
/
Статьи 2012-го года
Статьи 2020-го года
1
Влияние структуры приповерхностного слоя ниобата лития на характеристики оптических волноводов
Статьи 2019-го года
1
Влияние термомеханических воздействий на структуру и фазовый состав пьезоэлектрических кристаллов семейства лангасита (Диссертация)
Статьи 2018-го года
5
Высокотемпературный масс-чувствительный элемент для пьезорезонансных датчиков
Исследование акустических параметров монокристаллов лантан-галлиевого танталата, подвергнутых циклической деформации и термоудару
Монокристалл со структурой граната для сцинтилляционных датчиков и способ его получения
Оптические характеристики монокристаллического материала Gd
3
Al
2
Ga
3
O
12
:Ce
Влияние солегирующих примесей на оптические свойства кристаллов Gd
3
Al
2
Ga
3
O
12
:Ce
Статьи 2017-го года
2
Оптические свойства кристаллов Gd
3
Al
2
Ga
3
O
12
:Ce и кристаллов, солегированных примесями: Sc и Sc+Ca
Оптические свойства и состав кристаллов La
3
Ga
5.5
Ta
0.5
O
14
Статьи 2016-го года
2
Способ промышленного производства прецизионных пьезоэлектрических чувствительных элементов
Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота
Статьи 2015-го года
2
Оптические свойства и показатели преломления кристаллов Gd
3
Al
2
Ga
3
O
12
:Се
3+
Сцинтилляционный материал Gd
3
Al
2
Ga
3
O
12
:Ce
Статьи 2014-го года
4
Оптические свойства лантан-галлиевого танталата в связи с условиями получения и послеростовой обработки
Анизотропия микротвердости и микрохрупкости кристаллов семейства лангасита
Исследование температурного диапазона работоспособности монокристаллических пьезоэлектрических элементов на основе кристаллов семейства лангасита
Высокотемпературная устойчивость фазового состава кристаллов семейства лангасита
Статьи 2013-го года
3
LiTaO
3
— многофункциональный материал опто– и акустоэлектроники
Глубокая очистка изотопнообогащенных материалов для выращивания монокристаллов
40
Ca
100
MoO
4
Разработка метода оперативного спектрофотометрического контроля слабого остаточного поглощения монокристаллов CaMoO
4
в области максимума собственной люминесценции
Статьи 2012-го года
3
Формирование сегнетоэлектрических доменных структур в кристаллах LiTaO
3
методом прямой электронно–лучевой переполяризации
Основные теплофизические параметры монокристаллов лангасита (La
3
Ga
5
SiO
14
), лангатата (La
3
Ga
5.5
Ta
0.5
O
14
) и катангасита (Ca
3
TaGa
3
Si
2
O
14
) в интервале температур от 25 до 1000°с
Перспективные материалы акустоэлектроники
Статьи 2011-го года
1
Влияние изотермического отжига на состояние приповерхностных слоев лантан-галлиевого танталата
В этом разделе собраны статьи наших сотрудников, опубликованные в 2012 году.
Формирование сегнетоэлектрических доменных структур в кристаллах LiTaO
3
методом прямой электронно–лучевой переполяризации
Основные теплофизические параметры монокристаллов лангасита (La
3
Ga
5
SiO
14
), лангатата (La
3
Ga
5.5
Ta
0.5
O
14
) и катангасита (Ca
3
TaGa
3
Si
2
O
14
) в интервале температур от 25 до 1000°с
Перспективные материалы акустоэлектроники
Заполните заявку
наш специалист произведёт все нужные расчёты и свяжется с вами
Нажимая на кнопку "Отправить", я даю
согласие
на обработку персональных данных
