Статья:

Формирование сегнетоэлектрических доменных структур в кристаллах LiTaO3 методом прямой электронно–лучевой переполяризации

Аннотация

Исследован процесс переполяризации сегнетоэлектрического кристалла LiTaO3 методом прямой электронно− лучевой литографии. Продемонстрирована возможность формирования доменной структуры с шириной доменнов ~1 мкм. Показано, что в 127° Y′−срезе кристалла LiTaO3 сегнетоэлектрические домены формируются под углом 37° к поверхности кристалла и растут от отрицательной поверхности к положительной вдоль полярной оси Z

Заключение

Продемонстрирована возможность формирования 180°−сегнетоэлектрических доменных структур в кристаллах LiTaO3 методом прямой электронно− лучевой переполяризации. Показано, что метод электронно−лучевой литографии позволяет формировать большие массивы 180°−сегнетоэлектрических доменов с шириной доменов ~1 мкм.

Полный текст публикации находится здесь!

© 2012 г. Д. В. Рощупкин, Е. В. Емелин, О. А. Бузанов*

ФГБУН "Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН"*ОАО «Фомос–Материалс»

Заполните заявку
наш специалист произведёт все нужные расчёты и свяжется с вами
Нажимая на кнопку "Отправить", я даю
согласие на обработку персональных данных