Аннотация
Исследован процесс переполяризации сегнетоэлектрического кристалла LiTaO3 методом прямой электронно− лучевой литографии. Продемонстрирована возможность формирования доменной структуры с шириной доменнов ~1 мкм. Показано, что в 127° Y′−срезе кристалла LiTaO3 сегнетоэлектрические домены формируются под углом 37° к поверхности кристалла и растут от отрицательной поверхности к положительной вдоль полярной оси Z
Заключение
Продемонстрирована возможность формирования 180°−сегнетоэлектрических доменных структур в кристаллах LiTaO3 методом прямой электронно− лучевой переполяризации. Показано, что метод электронно−лучевой литографии позволяет формировать большие массивы 180°−сегнетоэлектрических доменов с шириной доменов ~1 мкм.
Полный текст публикации находится здесь!
© 2012 г. Д. В. Рощупкин, Е. В. Емелин, О. А. Бузанов*
ФГБУН "Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН", *ОАО «Фомос–Материалс»