Лангасит - лантан-галлиевый силикат, пьезоэлектрический кристалл семейства галлогерманатов, обладающий классом симметрии 32 и описывающийся химической формулой: La3Ga5SiO14. Способ получения - метод Чохральского. Лангасит обладает превосходными термическими, пьезоэлектрическими и диэлектрическими свойствами, устойчив к химическим воздействиям. Плотность лангасита равна 5,75 г/см³, а твердость 6,5 по шкале Мооса. Лангасит имеет температурную стабильность, сравнимую с кварцем, а значение КЭМС для ПАВ порядка 0,3 %, что в три раза больше чем у кварца. Используется для изготовления фильтров, используемых в мобильных системах связи, в датчиках температуры, работающих на поверхностных акустических волнах и датчиках давления, вибрации, веса, работающих на прямом пьезоэффекте. Благодаря отсутствию пироэлектрического эффекта, гистерезиса свойств, отсутствию фазового перехода вплоть до температуры плавления (1470°C) и наличию термостабильных срезов лангасит используют там где важна температурная зависимость электрического сигнала.
№ | Параметр | Значение | Размерность |
---|---|---|---|
1. | Гигроскопичность | нет | - |
2. | Гистерезис | нет | - |
3. | Диэлектрическая проницаемость | ε11 = 19; ε33 = 50 | - |
4. | Добротность | 50000 | - |
5. | Класс симметрии | 32 | - |
6. | Коэффициент теплового расширения | α11 = 5,630; α33 = 4,079 | мкK-1 |
7. | КЭМС (ОАВ) | 15,8 | % |
8. | КЭМС (ПАВ) | 0,34 (0°;138,5°;26,7°) | % |
9. | Параметры ячейки | a = 8,170x10-10; c = 5,098x10-10 | м |
10. | Плотность | 5,75 | г/см3 |
11. | Пироэлектрический эффект | нет | - |
12. | Пьзоэлектрические модули | d11 = 6,1; d14 = 5,4 | пКл/Н |
13. | Резонансный промежуток | 0,9 | % |
14. | Скорость ПАВ | 2723 (0°;138,5°;26,7°) | м/с |
15. | Твердость по Моосу | 6,5 | - |
16. | Температура Дебая | 742 | К |
17. | Температура Кюри | нет | оС |
18. | Температура плавления | 1480 | оС |
19. | ТКЧ | 1,6х10-5 | °C-1 |
20. | Удельное сопротивление | >1х1012 (25°C) | Ом*см |
Список статей, посвященных кристаллу La3Ga5SiO14:
- Влияние термомеханических воздействий на структуру и фазовый состав пьезоэлектрических кристаллов семейства лангасита (Диссертация)
- Высокотемпературный масс-чувствительный элемент для пьезорезонансных датчиков (патент)
- Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота
- Анизотропия микротвердости и микрохрупкости кристаллов семейства лангасита
- Высокотемпературная устойчивость фазового состава кристаллов семейства лангасита
- Исследование температурного диапазона работоспособности монокристаллических пьезоэлектрических элементов на основе кристаллов семейства лангасита
- Основные теплофизические параметры монокристаллов лангасита (La3Ga5SiO14), лангатата (La3Ga5.5Ta0.5O14) и катангасита (Ca3TaGa3Si2O14) в интервале температур от 25 до 1000°с
- Перспективные материалы акустоэлектроники
- Theoretical and experimental investigation of langasite as material for wireless high temperature SAW sensors